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IKW20N60T
自营可供
IC

TO-247

IKW20N60T

IGBT管/模块 IKW20N60T

品牌

Infineon

封装

TO-247

交期

现货

批次

22+

IKW20N60T参数

封装TO-247
品牌Infineon(英飞凌)
批次22+
耗散功率(Pd)166W
集电极电流(Ic)20A
栅极阈值电压(Vge(th))4.1V@290uA
输入电容(Cies)1.1nF
反向传输电容(Cres)32pF
关断延迟时间(Td(off))199ns
关断损耗(Eoff)460uJ
工作温度-40℃~+175℃
分类IGBT管/模块
库存240
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)600V
集射极饱和电压(VCE(sat))2.05V@20A, 15V
栅极电荷量(Qg)120nC@480V
输出电容(Coes)71pF
开启延迟时间(Td(on))18ns
导通损耗(Eon)310uJ
反向恢复时间(Trr)41ns

IKW20N60T概述

IGBT管/模块 IKW20N60T

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