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IKQ75N120CS6
IC

TO-247-3

可供量大可议

IKQ75N120CS6

IGBT管/模块 IKQ75N120CS6

品牌

Infineon

封装

TO-247-3

库存

948

货期

现货

IKQ75N120CS6参数

封装TO-247-3
品牌Infineon(英飞凌)
批次26+
耗散功率(Pd)880W
集电极电流(Ic)150A
栅极阈值电压(Vge(th))5.1V@3.5mA
输入电容(Cies)4.9nF
反向传输电容(Cres)225pF
关断延迟时间(Td(off))300ns
关断损耗(Eoff)2.95mJ
工作温度-40℃~+175℃
分类IGBT管/模块
库存948
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集射极饱和电压(VCE(sat))2.15V@75A, 15V
栅极电荷量(Qg)530nC@15V
输出电容(Coes)360pF
开启延迟时间(Td(on))34ns
导通损耗(Eon)5.15mJ
反向恢复时间(Trr)440ns

IKQ75N120CS6概述

IGBT管/模块 IKQ75N120CS6

IKQ75N120CS6特性

暂无产品特性。

IKQ75N120CS6应用领域

暂无应用领域。

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