IKQ50N120CH3XKSA1
IC
TO-247-3
可供量大可议
IKQ50N120CH3XKSA1
特性：高速H3技术提供:硬开关和谐振拓扑中的高效率。 在Tv = 175℃时具有10μs的短路耐受时间。 由于VcEsat中的正温度系数， 易于并联。 低电磁干扰。 低栅极电荷Qg。 非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。 应用：工业UPS。 充电器
品牌
Infineon
封装
TO-247-3
库存
59
货期
现货
IKQ50N120CH3XKSA1参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 59 |
IKQ50N120CH3XKSA1概述
特性：高速H3技术提供:硬开关和谐振拓扑中的高效率。 在Tv = 175℃时具有10μs的短路耐受时间。 由于VcEsat中的正温度系数， 易于并联。 低电磁干扰。 低栅极电荷Qg。 非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。 应用：工业UPS。 充电器
IKQ50N120CH3XKSA1特性
暂无产品特性。
IKQ50N120CH3XKSA1应用领域
暂无应用领域。