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IKQ140N120CH7XKSA1-HXY
IC

TO-247P

可供量大可议

IKQ140N120CH7XKSA1-HXY

该IGBT模块具备140A的集电极电流(Ic)与1200V的集射极击穿电压(Vces), 适合高功率密度场景的应用需求。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.55V, 有效降低导通状态下的能量损耗, 提升整体能效表现。 内部集成二极管可支持140A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为2.01V, 具有良好的热稳定性和快速恢复能力。 模块设计兼顾可靠性和兼容性, 适用于多种高效电力转换设备的构建与优化。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247P

库存

38

货期

现货

IKQ140N120CH7XKSA1-HXY参数

封装TO-247P
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存38

IKQ140N120CH7XKSA1-HXY概述

该IGBT模块具备140A的集电极电流(Ic)与1200V的集射极击穿电压(Vces), 适合高功率密度场景的应用需求。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.55V, 有效降低导通状态下的能量损耗, 提升整体能效表现。 内部集成二极管可支持140A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为2.01V, 具有良好的热稳定性和快速恢复能力。 模块设计兼顾可靠性和兼容性, 适用于多种高效电力转换设备的构建与优化。

IKQ140N120CH7XKSA1-HXY特性

暂无产品特性。

IKQ140N120CH7XKSA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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