IKQ140N120CH7XKSA1-HXY
IC
TO-247P
可供量大可议
IKQ140N120CH7XKSA1-HXY
该IGBT模块具备140A的集电极电流(Ic)与1200V的集射极击穿电压(Vces), 适合高功率密度场景的应用需求。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.55V, 有效降低导通状态下的能量损耗, 提升整体能效表现。 内部集成二极管可支持140A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为2.01V, 具有良好的热稳定性和快速恢复能力。 模块设计兼顾可靠性和兼容性, 适用于多种高效电力转换设备的构建与优化。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247P
库存
38
货期
现货
IKQ140N120CH7XKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-247P |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 38 |
IKQ140N120CH7XKSA1-HXY概述
该IGBT模块具备140A的集电极电流(Ic)与1200V的集射极击穿电压(Vces), 适合高功率密度场景的应用需求。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.55V, 有效降低导通状态下的能量损耗, 提升整体能效表现。 内部集成二极管可支持140A正向电流(IF), 正向压降(Vf)为2.01V, 具有良好的热稳定性和快速恢复能力。 模块设计兼顾可靠性和兼容性, 适用于多种高效电力转换设备的构建与优化。
IKQ140N120CH7XKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IKQ140N120CH7XKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
