IKQ120N65EH7XKSA1
IC
TO-247-3
可供量大可议
IKQ120N65EH7XKSA1
特性：VCE = 650 V。 IC = 120 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。 应用：工业不间断电源。 电动汽车充电
品牌
Infineon
封装
TO-247-3
库存
5
货期
现货
IKQ120N65EH7XKSA1参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
IKQ120N65EH7XKSA1概述
特性：VCE = 650 V。 IC = 120 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。 应用：工业不间断电源。 电动汽车充电
IKQ120N65EH7XKSA1特性
暂无产品特性。
IKQ120N65EH7XKSA1应用领域
暂无应用领域。