IKQ100N120CS7XKSA1
IC
PG-TO247-3-PLUS-NN3.7
可供量大可议
IKQ100N120CS7XKSA1
特性：VCE = 1200 V。 IC = 100 A， IGBT与全电流、软恢复且低Qrr的二极管共封装。 低饱和电压：在Tvj = 175℃时， VCEsat = 2.0 V。 针对硬开关拓扑进行优化（2-L逆变器、3-L NPC T型等）。 短路耐受时间8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 应用：工业驱动器。 工业电源
品牌
Infineon
封装
PG-TO247-3-PLUS-NN3.7
库存
19
货期
现货
IKQ100N120CS7XKSA1参数
| 封装 | PG-TO247-3-PLUS-NN3.7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 19 |
IKQ100N120CS7XKSA1概述
特性：VCE = 1200 V。 IC = 100 A， IGBT与全电流、软恢复且低Qrr的二极管共封装。 低饱和电压：在Tvj = 175℃时， VCEsat = 2.0 V。 针对硬开关拓扑进行优化（2-L逆变器、3-L NPC T型等）。 短路耐受时间8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 应用：工业驱动器。 工业电源
IKQ100N120CS7XKSA1特性
暂无产品特性。
IKQ100N120CS7XKSA1应用领域
暂无应用领域。