IKP30N65H5
IC
TO-220-3
可供量大可议
IKP30N65H5
特性：高速H5技术， 在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175℃。 应用：太阳能转换器。 不间断电源
品牌
Infineon
封装
TO-220-3
库存
40
货期
现货
IKP30N65H5参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
IKP30N65H5概述
特性：高速H5技术， 在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175℃。 应用：太阳能转换器。 不间断电源
IKP30N65H5特性
暂无产品特性。
IKP30N65H5应用领域
暂无应用领域。