IKFW75N60ET
IC
TO-247-3-AI
可供量大可议
IKFW75N60ET
特性：极低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）。 短路耐受时间：在结温（Tvj）为175℃时为5μs。 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）具有正温度系数。 低电磁干扰（EMI）。 非常软且快速恢复的反并联二极管。 最高结温为175℃。 应用：通用驱动器（GPD）。 伺服驱动器
品牌
Infineon
封装
TO-247-3-AI
库存
14
货期
现货
IKFW75N60ET参数
| 封装 | TO-247-3-AI |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 14 |
IKFW75N60ET概述
特性：极低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）。 短路耐受时间：在结温（Tvj）为175℃时为5μs。 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）具有正温度系数。 低电磁干扰（EMI）。 非常软且快速恢复的反并联二极管。 最高结温为175℃。 应用：通用驱动器（GPD）。 伺服驱动器
IKFW75N60ET特性
暂无产品特性。
IKFW75N60ET应用领域
暂无应用领域。