IKD06N60RF
IC
TO-252
可供量大可议
IKD06N60RF
IGBT管/模块 IKD06N60RF
品牌
Infineon
封装
TO-252
库存
12,050
货期
现货
IKD06N60RF参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 25+ |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 集电极电流(Ic) | 6A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.3V@0.11mA |
| 输入电容(Cies) | 470pF@25V |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 106ns |
| 关断损耗(Eoff) | 90uJ |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 12,050 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V@6A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@15V |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 7ns |
| 导通损耗(Eon) | 90uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 48ns |
IKD06N60RF概述
IGBT管/模块 IKD06N60RF
IKD06N60RF特性
暂无产品特性。
IKD06N60RF应用领域
暂无应用领域。