IKB30N65EH5ATMA1
IC
TO-263-3
可供量大可议
IKB30N65EH5ATMA1
特性：高速H5技术， 在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷Qg。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。 最高结温175°C。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 应用：能源发电-太阳能串式逆变器-太阳能微型逆变器。 工业电源-工业开关电源-工业不间断电源
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
8
货期
现货
IKB30N65EH5ATMA1参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 8 |
IKB30N65EH5ATMA1概述
特性：高速H5技术， 在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷Qg。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。 最高结温175°C。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 应用：能源发电-太阳能串式逆变器-太阳能微型逆变器。 工业电源-工业开关电源-工业不间断电源
IKB30N65EH5ATMA1特性
暂无产品特性。
IKB30N65EH5ATMA1应用领域
暂无应用领域。