IKB20N65EH5
IC
TO-263-3
可供量大可议
IKB20N65EH5
特性：高速H5技术， 在硬开关和谐振拓扑中提供同类最佳效率。 650V击穿电压。 低QG。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。 最高结温175℃。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 应用：能源发电。 太阳能串式逆变器
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
4
货期
现货
IKB20N65EH5参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 4 |
IKB20N65EH5概述
特性：高速H5技术， 在硬开关和谐振拓扑中提供同类最佳效率。 650V击穿电压。 低QG。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。 最高结温175℃。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 应用：能源发电。 太阳能串式逆变器
IKB20N65EH5特性
暂无产品特性。
IKB20N65EH5应用领域
暂无应用领域。