IKA08N65ET6
IC
TO-220F
可供量大可议
IKA08N65ET6
特性：极低的集电极发射极饱和电压（VCE(sat)）：1.5V（典型值）。 最高结温：175℃。 短路耐受时间：3μs。 适用于650V应用的沟槽和场截止技术， 具有非常紧密的参数分布。 高耐用性和温度稳定性。 低集电极发射极饱和电压（VCEsat）和正温度系数。 应用：驱动器。 通用驱动器（GPD）
品牌
Infineon
封装
TO-220F
库存
9
货期
现货
IKA08N65ET6参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 9 |
IKA08N65ET6概述
特性：极低的集电极发射极饱和电压（VCE(sat)）：1.5V（典型值）。 最高结温：175℃。 短路耐受时间：3μs。 适用于650V应用的沟槽和场截止技术， 具有非常紧密的参数分布。 高耐用性和温度稳定性。 低集电极发射极饱和电压（VCEsat）和正温度系数。 应用：驱动器。 通用驱动器（GPD）
IKA08N65ET6特性
暂无产品特性。
IKA08N65ET6应用领域
暂无应用领域。