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IHW30N135R5-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

IHW30N135R5-HXY

该IGBT模块具备30A的集电极电流(Ic)和1350V的集射极击穿电压(Vces), 可稳定工作于较高电压与电流环境, 适用于对功率控制要求较高的场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V, 能在导通状态下保持较低损耗。 内置二极管的正向电流(IF)为30A, 正向压降(Vf)为1.85V, 具备良好的反向恢复特性。 模块采用高可靠性封装, 具备较好的热稳定性与绝缘性能, 适合应用于能源转换、精密电源管理及相关配套设备中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

7

货期

现货

IHW30N135R5-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存7

IHW30N135R5-HXY概述

该IGBT模块具备30A的集电极电流(Ic)和1350V的集射极击穿电压(Vces), 可稳定工作于较高电压与电流环境, 适用于对功率控制要求较高的场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V, 能在导通状态下保持较低损耗。 内置二极管的正向电流(IF)为30A, 正向压降(Vf)为1.85V, 具备良好的反向恢复特性。 模块采用高可靠性封装, 具备较好的热稳定性与绝缘性能, 适合应用于能源转换、精密电源管理及相关配套设备中。

IHW30N135R5-HXY特性

暂无产品特性。

IHW30N135R5-HXY应用领域

暂无应用领域。

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