IHW30N135R5-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
IHW30N135R5-HXY
该IGBT模块具备30A的集电极电流(Ic)和1350V的集射极击穿电压(Vces), 可稳定工作于较高电压与电流环境, 适用于对功率控制要求较高的场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V, 能在导通状态下保持较低损耗。 内置二极管的正向电流(IF)为30A, 正向压降(Vf)为1.85V, 具备良好的反向恢复特性。 模块采用高可靠性封装, 具备较好的热稳定性与绝缘性能, 适合应用于能源转换、精密电源管理及相关配套设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
7
货期
现货
IHW30N135R5-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 7 |
IHW30N135R5-HXY概述
该IGBT模块具备30A的集电极电流(Ic)和1350V的集射极击穿电压(Vces), 可稳定工作于较高电压与电流环境, 适用于对功率控制要求较高的场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V, 能在导通状态下保持较低损耗。 内置二极管的正向电流(IF)为30A, 正向压降(Vf)为1.85V, 具备良好的反向恢复特性。 模块采用高可靠性封装, 具备较好的热稳定性与绝缘性能, 适合应用于能源转换、精密电源管理及相关配套设备中。
IHW30N135R5-HXY特性
暂无产品特性。
IHW30N135R5-HXY应用领域
暂无应用领域。
