IHW20N135R5F
IC
TO-247-3
可供量大可议
IHW20N135R5F
特性：提供高达1350V的高击穿电压， 提高可靠性。 强大的单片体二极管， 正向电压低， 专为软换流设计。 参数分布非常紧密。 高耐用性， 温度稳定性好。 低VCEsat。 由于VCEsat的正温度系数， 易于并联开关。 应用：感应烹饪。 逆变微波炉
品牌
FUXINSEMI
封装
TO-247-3
库存
98
货期
现货
IHW20N135R5F参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | FUXINSEMI(富芯森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 98 |
IHW20N135R5F概述
特性：提供高达1350V的高击穿电压， 提高可靠性。 强大的单片体二极管， 正向电压低， 专为软换流设计。 参数分布非常紧密。 高耐用性， 温度稳定性好。 低VCEsat。 由于VCEsat的正温度系数， 易于并联开关。 应用：感应烹饪。 逆变微波炉
IHW20N135R5F特性
暂无产品特性。
IHW20N135R5F应用领域
暂无应用领域。