IHLP1616ABER1R5M11
IC
SMD, 4.5x4.1mm
可供量大可议
IHLP1616ABER1R5M11
特性：屏蔽结构。 在该封装尺寸中具有最低的 DCR/μH。 处理高瞬态电流尖峰而不饱和。 由于复合结构, 具有超低嗡嗡声。 在 1.0 MHz 至 2.0 MHz 范围内具有出色的 DC/DC 能量存储能力。 适用于高达 SRF 的滤波电感应用(见“标准电气规格”表)。 应用：PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。 高电流负载点 (POL) 转换器
品牌
VISHAY
封装
SMD, 4.5x4.1mm
库存
854
货期
现货
IHLP1616ABER1R5M11参数
| 封装 | SMD, 4.5x4.1mm |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 功率电感 |
|---|---|
| 库存 | 854 |
IHLP1616ABER1R5M11概述
特性：屏蔽结构。 在该封装尺寸中具有最低的 DCR/μH。 处理高瞬态电流尖峰而不饱和。 由于复合结构, 具有超低嗡嗡声。 在 1.0 MHz 至 2.0 MHz 范围内具有出色的 DC/DC 能量存储能力。 适用于高达 SRF 的滤波电感应用(见“标准电气规格”表)。 应用：PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。 高电流负载点 (POL) 转换器
IHLP1616ABER1R5M11特性
暂无产品特性。
IHLP1616ABER1R5M11应用领域
暂无应用领域。