IHLP1212ABER1R0M11
IC
SMD, 3x3mm
可供量大可议
IHLP1212ABER1R0M11
特性：屏蔽结构。 高达1 MHz至2 MHz的出色DC/DC能量存储。 适用于高达自谐振频率(SRF)的滤波电感应用。 符合RoHS标准。 在该封装尺寸中具有最低的DCR/μH。 无卤。 应用：PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。 高电流负载点(POL)转换器
品牌
VISHAY
封装
SMD, 3x3mm
库存
5
货期
现货
IHLP1212ABER1R0M11参数
| 封装 | SMD, 3x3mm |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 功率电感 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
IHLP1212ABER1R0M11概述
特性：屏蔽结构。 高达1 MHz至2 MHz的出色DC/DC能量存储。 适用于高达自谐振频率(SRF)的滤波电感应用。 符合RoHS标准。 在该封装尺寸中具有最低的DCR/μH。 无卤。 应用：PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。 高电流负载点(POL)转换器
IHLP1212ABER1R0M11特性
暂无产品特性。
IHLP1212ABER1R0M11应用领域
暂无应用领域。