IGW50N65H5AXKSA1-HXY

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces）， 适用于较高功率场景下的开关控制。 其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V， 能在导通状态下保持较低的能量损耗。 内置二极管可支持50A的正向电流（IF）， 正向压降（Vf）为1.85V， 提升了系统整体效率。 该模块结构紧凑、可靠性高， 适合用于需要稳定高频开关性能的电力电子设备中。