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IGW30N60TP
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IC

TO-247-3

IGW30N60TP

IGBT管/模块 IGW30N60TP TO-247-3

品牌

Infineon

封装

TO-247-3

交期

现货

批次

24+

IGW30N60TP参数

封装TO-247-3
品牌Infineon(英飞凌)
批次24+
耗散功率(Pd)200W
集电极电流(Ic)53A
栅极阈值电压(Vge(th))4.1V@0.48mA
开启延迟时间(Td(on))15ns
导通损耗(Eon)710uJ
工作温度-40℃~+175℃
分类IGBT管/模块
库存195
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)600V
集射极饱和电压(VCE(sat))1.8V@30A, 15V
输入电容(Cies)1.05nF@25V
关断延迟时间(Td(off))179ns
关断损耗(Eoff)420uJ

IGW30N60TP概述

IGBT管/模块 IGW30N60TP TO-247-3

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