IGW30N60TP
IC
TO-247-3
可供量大可议
IGW30N60TP
IGBT管/模块 IGW30N60TP TO-247-3
品牌
Infineon
封装
TO-247-3
库存
205
货期
现货
IGW30N60TP参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 24+ |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 集电极电流(Ic) | 53A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.1V@0.48mA |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 15ns |
| 导通损耗(Eon) | 710uJ |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 205 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V@30A, 15V |
| 输入电容(Cies) | 1.05nF@25V |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 179ns |
| 关断损耗(Eoff) | 420uJ |
IGW30N60TP概述
IGBT管/模块 IGW30N60TP TO-247-3
IGW30N60TP特性
暂无产品特性。
IGW30N60TP应用领域
暂无应用领域。