IGQ120N120S7XKSA1
IC
TO-247-3
可供量大可议
IGQ120N120S7XKSA1
特性：VCE = 1200 V。 IC = 120 A。 低饱和电压VCEsat = 2.0 V（Tv = 175℃）。 短路耐受能力8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。 应用：工业电源。 太阳能
品牌
Infineon
封装
TO-247-3
库存
2
货期
现货
IGQ120N120S7XKSA1参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IGQ120N120S7XKSA1概述
特性：VCE = 1200 V。 IC = 120 A。 低饱和电压VCEsat = 2.0 V（Tv = 175℃）。 短路耐受能力8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。 应用：工业电源。 太阳能
IGQ120N120S7XKSA1特性
暂无产品特性。
IGQ120N120S7XKSA1应用领域
暂无应用领域。