IGC033S101XTMA1
自营可供
IC
VSON-6
IGC033S101XTMA1
GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES
品牌
Infineon
封装
VSON-6
交期
现货
批次
24+
IGC033S101XTMA1参数
| 封装 | VSON-6 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 24+ |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 输入电容(Ciss) | 1200pF |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC |
| 反向传输电容(Crss) | 6.1pF |
| 输出电容(Coss) | 540pF |
IGC033S101XTMA1概述
GaN 场效应晶体管 MV GAN DISCRETES