IGC025S08S1XTMA1
IC
PG-TSON-6
可供量大可议
IGC025S08S1XTMA1
氮化镓 (GaN)晶体管 80 V 86 A 2500 µohm 12 nC TSON 表面安装
品牌
Infineon
封装
PG-TSON-6
库存
50
货期
现货
IGC025S08S1XTMA1参数
| 封装 | PG-TSON-6 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 技术路线 | E-mode |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 1250pF |
| 输出电容(Coss) | 570pF |
IGC025S08S1XTMA1概述
氮化镓 (GaN)晶体管 80 V 86 A 2500 µohm 12 nC TSON 表面安装
IGC025S08S1XTMA1特性
暂无产品特性。
IGC025S08S1XTMA1应用领域
暂无应用领域。