IGB15N120S7ATMA1
IC
TO-263-3
可供量大可议
IGB15N120S7ATMA1
IGBT 34 A 1.65 V 141 W 1.2 kV TO-263 3 引脚
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
100
货期
现货
IGB15N120S7ATMA1参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 24+ |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集电极电流(Ic) | 34A |
| 输出电容(Coes) | 41pF |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.15V@0.3mA |
| 输入电容(Cies) | 2.5nF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 156ns |
| 关断损耗(Eoff) | 680uJ |
| 反向传输电容(Cres) | 27pF |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 耗散功率(Pd) | 141W |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@15A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 97nC@15V |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 16ns |
| 导通损耗(Eon) | 900uJ |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
IGB15N120S7ATMA1概述
IGBT 34 A 1.65 V 141 W 1.2 kV TO-263 3 引脚
IGB15N120S7ATMA1特性
暂无产品特性。
IGB15N120S7ATMA1应用领域
暂无应用领域。