IGB110S101XTMA1
IC
VSON-4
可供量大可议
IGB110S101XTMA1
GAN TRANSISTOR, 100V, 23A, VSON-4
品牌
Infineon
封装
VSON-4
库存
260
货期
现货
IGB110S101XTMA1参数
| 封装 | VSON-4 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 24+ |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 300pF |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.4mΩ |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 260 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.4nC |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
IGB110S101XTMA1概述
GAN TRANSISTOR, 100V, 23A, VSON-4
IGB110S101XTMA1特性
暂无产品特性。
IGB110S101XTMA1应用领域
暂无应用领域。