IGB03N120S7ATMA1
IC
TO-263-3
可供量大可议
IGB03N120S7ATMA1
特性：VCE = 1200 V。 IC = 3 A。 低饱和电压：VCEsat = 2 V（Tdj = 150℃时）。 短路耐受时间：8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。 应用：工业驱动器
品牌
Infineon
封装
TO-263-3
库存
88
货期
现货
IGB03N120S7ATMA1参数
| 封装 | TO-263-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 88 |
IGB03N120S7ATMA1概述
特性：VCE = 1200 V。 IC = 3 A。 低饱和电压：VCEsat = 2 V（Tdj = 150℃时）。 短路耐受时间：8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。 应用：工业驱动器
IGB03N120S7ATMA1特性
暂无产品特性。
IGB03N120S7ATMA1应用领域
暂无应用领域。