IDWD10G120C5
IC
TO-247-2
可供量大可议
IDWD10G120C5
系统效率比硅二极管更高。 可实现更高频率/更高功率密度解决方案。 由于减少了散热器需求和使用更小的磁性元件， 节省了系统尺寸和成本。 降低了电磁干扰。 在整个负载范围内具有最高效率。 在浪涌事件期间二极管运行稳定。 高可靠性
品牌
Infineon
封装
TO-247-2
库存
6
货期
现货
IDWD10G120C5参数
| 封装 | TO-247-2 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 6 |
IDWD10G120C5概述
系统效率比硅二极管更高。 可实现更高频率/更高功率密度解决方案。 由于减少了散热器需求和使用更小的磁性元件， 节省了系统尺寸和成本。 降低了电磁干扰。 在整个负载范围内具有最高效率。 在浪涌事件期间二极管运行稳定。 高可靠性
IDWD10G120C5特性
暂无产品特性。
IDWD10G120C5应用领域
暂无应用领域。