IDP08E65D2XKSA1-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
IDP08E65D2XKSA1-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 具备8A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)典型值为10μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达100A的峰值正向电流(IFSM)。 其快速恢复特性有助于缩短反向恢复时间, 降低开关损耗, 适用于对能效和动态性能有较高要求的电源转换及高频整流场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
IDP08E65D2XKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
IDP08E65D2XKSA1-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 具备8A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)典型值为10μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达100A的峰值正向电流(IFSM)。 其快速恢复特性有助于缩短反向恢复时间, 降低开关损耗, 适用于对能效和动态性能有较高要求的电源转换及高频整流场合。
IDP08E65D2XKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IDP08E65D2XKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
