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IDP08E65D2XKSA1-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

IDP08E65D2XKSA1-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 具备8A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)典型值为10μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达100A的峰值正向电流(IFSM)。 其快速恢复特性有助于缩短反向恢复时间, 降低开关损耗, 适用于对能效和动态性能有较高要求的电源转换及高频整流场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

IDP08E65D2XKSA1-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存23

IDP08E65D2XKSA1-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 具备8A的额定正向电流(IF)和600V的最大反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)典型值为10μA, 在非重复浪涌条件下可承受高达100A的峰值正向电流(IFSM)。 其快速恢复特性有助于缩短反向恢复时间, 降低开关损耗, 适用于对能效和动态性能有较高要求的电源转换及高频整流场合。

IDP08E65D2XKSA1-HXY特性

暂无产品特性。

IDP08E65D2XKSA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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