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IDP08E65D1XKSA1-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

IDP08E65D1XKSA1-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达600V。 其正向压降(VF)为1.5V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流(IR)仅为10μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及高频整流场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

IDP08E65D1XKSA1-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存23

IDP08E65D1XKSA1-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达600V。 其正向压降(VF)为1.5V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流(IR)仅为10μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及高频整流场合。

IDP08E65D1XKSA1-HXY特性

暂无产品特性。

IDP08E65D1XKSA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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