IDM05G120C5XTMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IDM05G120C5XTMA1-HXY
该碳化硅二极管为独立式器件, 具备5A的正向电流(IF)和1200V的反向重复峰值电压(VR), 正向导通压降(VF)为1.38V。 依托碳化硅材料优势, 具备出色的耐高压性能、高温稳定性和极快的开关速度, 反向恢复电荷极低。 适用于高电压、高效率要求的电源系统, 如大功率开关电源、不间断电源、光伏逆变器以及高密度电源模块等, 可有效降低开关损耗, 提升系统功率密度与整体能效水平。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-252-2L
Stock
496
货期
现货
IDM05G120C5XTMA1-HXYParameters
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 496 |
IDM05G120C5XTMA1-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式器件, 具备5A的正向电流(IF)和1200V的反向重复峰值电压(VR), 正向导通压降(VF)为1.38V。 依托碳化硅材料优势, 具备出色的耐高压性能、高温稳定性和极快的开关速度, 反向恢复电荷极低。 适用于高电压、高效率要求的电源系统, 如大功率开关电源、不间断电源、光伏逆变器以及高密度电源模块等, 可有效降低开关损耗, 提升系统功率密度与整体能效水平。
IDM05G120C5XTMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IDM05G120C5XTMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
