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IDM05G120C5XTMA1-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IDM05G120C5XTMA1-HXY

该碳化硅二极管为独立式器件, 具备5A的正向电流(IF)和1200V的反向重复峰值电压(VR), 正向导通压降(VF)为1.38V。 依托碳化硅材料优势, 具备出色的耐高压性能、高温稳定性和极快的开关速度, 反向恢复电荷极低。 适用于高电压、高效率要求的电源系统, 如大功率开关电源、不间断电源、光伏逆变器以及高密度电源模块等, 可有效降低开关损耗, 提升系统功率密度与整体能效水平。

Brand

HXY MOSFET

Package

TO-252-2L

Stock

496

货期

现货

IDM05G120C5XTMA1-HXYParameters

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存496

IDM05G120C5XTMA1-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式器件, 具备5A的正向电流(IF)和1200V的反向重复峰值电压(VR), 正向导通压降(VF)为1.38V。 依托碳化硅材料优势, 具备出色的耐高压性能、高温稳定性和极快的开关速度, 反向恢复电荷极低。 适用于高电压、高效率要求的电源系统, 如大功率开关电源、不间断电源、光伏逆变器以及高密度电源模块等, 可有效降低开关损耗, 提升系统功率密度与整体能效水平。

IDM05G120C5XTMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IDM05G120C5XTMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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