Stock与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件Procurement平台
热门搜索Part Number:
IDL06G65C5XUMA2-HXY
IC

DFN-5B(8x8)

可供量大可议

IDL06G65C5XUMA2-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.32V, 在浪涌条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。 其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。

Brand

HXY MOSFET

Package

DFN-5B(8x8)

Stock

46

货期

现货

IDL06G65C5XUMA2-HXYParameters

封装DFN-5B(8x8)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存46

IDL06G65C5XUMA2-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.32V, 在浪涌条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。 其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。

IDL06G65C5XUMA2-HXY特性

暂无产品特性。

IDL06G65C5XUMA2-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件