IDL06G65C5XUMA2-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
IDL06G65C5XUMA2-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.32V, 在浪涌条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。 其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。
Brand
HXY MOSFET
Package
DFN-5B(8x8)
Stock
46
货期
现货
IDL06G65C5XUMA2-HXYParameters
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 46 |
IDL06G65C5XUMA2-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.32V, 在浪涌条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。 其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。
IDL06G65C5XUMA2-HXY特性
暂无产品特性。
IDL06G65C5XUMA2-HXY应用领域
暂无应用领域。
