IDL06G65C5XUMA1-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
IDL06G65C5XUMA1-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为6A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向压降典型值为1.32V, 在浪涌条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流。 其基于碳化硅材料特性, 具备低导通损耗与优异的高频性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景, 如开关电源、光伏逆变器及高频整流模块等, 能够在高频率和高温环境下保持稳定工作特性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
49
货期
现货
IDL06G65C5XUMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
IDL06G65C5XUMA1-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为6A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向压降典型值为1.32V, 在浪涌条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流。 其基于碳化硅材料特性, 具备低导通损耗与优异的高频性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景, 如开关电源、光伏逆变器及高频整流模块等, 能够在高频率和高温环境下保持稳定工作特性。
IDL06G65C5XUMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IDL06G65C5XUMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
