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IDL06G65C5XUMA1-HXY
IC

DFN-5B(8x8)

可供量大可议

IDL06G65C5XUMA1-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为6A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向压降典型值为1.32V, 在浪涌条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流。 其基于碳化硅材料特性, 具备低导通损耗与优异的高频性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景, 如开关电源、光伏逆变器及高频整流模块等, 能够在高频率和高温环境下保持稳定工作特性。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-5B(8x8)

库存

49

货期

现货

IDL06G65C5XUMA1-HXY参数

封装DFN-5B(8x8)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存49

IDL06G65C5XUMA1-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为6A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向压降典型值为1.32V, 在浪涌条件下可承受高达60A的非重复峰值正向电流。 其基于碳化硅材料特性, 具备低导通损耗与优异的高频性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景, 如开关电源、光伏逆变器及高频整流模块等, 能够在高频率和高温环境下保持稳定工作特性。

IDL06G65C5XUMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IDL06G65C5XUMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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