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IDL04G65C5-HXY
IC

DFN-5B(8x8)

可供量大可议

IDL04G65C5-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为4A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 适用于中等功率电力转换应用。 其正向导通压降(VF)为1.4V, 具备较低的导通损耗, 有助于提升系统能效。 得益于碳化硅材料特性, 器件具有快速开关速度、低反向恢复电荷及良好的高温工作性能。 常用于高效电源适配器、不间断电源系统、通信电源模块以及可再生能源发电设备中的整流与防反接电路, 适合在高频、高效率拓扑结构中实现紧凑化设计与可靠运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-5B(8x8)

库存

16

货期

现货

IDL04G65C5-HXY参数

封装DFN-5B(8x8)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存16

IDL04G65C5-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为4A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 适用于中等功率电力转换应用。 其正向导通压降(VF)为1.4V, 具备较低的导通损耗, 有助于提升系统能效。 得益于碳化硅材料特性, 器件具有快速开关速度、低反向恢复电荷及良好的高温工作性能。 常用于高效电源适配器、不间断电源系统、通信电源模块以及可再生能源发电设备中的整流与防反接电路, 适合在高频、高效率拓扑结构中实现紧凑化设计与可靠运行。

IDL04G65C5-HXY特性

暂无产品特性。

IDL04G65C5-HXY应用领域

暂无应用领域。

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