IDL04G65C5-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
IDL04G65C5-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为4A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 适用于中等功率电力转换应用。 其正向导通压降(VF)为1.4V, 具备较低的导通损耗, 有助于提升系统能效。 得益于碳化硅材料特性, 器件具有快速开关速度、低反向恢复电荷及良好的高温工作性能。 常用于高效电源适配器、不间断电源系统、通信电源模块以及可再生能源发电设备中的整流与防反接电路, 适合在高频、高效率拓扑结构中实现紧凑化设计与可靠运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
16
货期
现货
IDL04G65C5-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 16 |
IDL04G65C5-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为4A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 适用于中等功率电力转换应用。 其正向导通压降(VF)为1.4V, 具备较低的导通损耗, 有助于提升系统能效。 得益于碳化硅材料特性, 器件具有快速开关速度、低反向恢复电荷及良好的高温工作性能。 常用于高效电源适配器、不间断电源系统、通信电源模块以及可再生能源发电设备中的整流与防反接电路, 适合在高频、高效率拓扑结构中实现紧凑化设计与可靠运行。
IDL04G65C5-HXY特性
暂无产品特性。
IDL04G65C5-HXY应用领域
暂无应用领域。
