IDK10G65C5XTMA1-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置， 额定正向电流（IF）为10A， 最大反向重复电压（VR）为650V， 典型正向压降（VF）为1.3V， 反向漏电流（IR）为50μA， 并可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。 其低VF与微小IR特性有助于降低导通损耗与静态功耗， 适用于高频开关电源、高效率整流模块及对能效和热管理有严格要求的电力电子系统。