IDK08G65C5XTMA2-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
IDK08G65C5XTMA2-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.42V。 其基于碳化硅材料的特性, 展现出优异的开关性能和较高的工作温度能力。 该器件适用于需要高效能功率转换的场合, 可用于电源转换系统、可再生能源逆变装置以及高频率开关电路中, 有助于提升系统整体效率并减小散热设计负担, 是现代高功率密度电子设备中的关键元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
9
货期
现货
IDK08G65C5XTMA2-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 9 |
IDK08G65C5XTMA2-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.42V。 其基于碳化硅材料的特性, 展现出优异的开关性能和较高的工作温度能力。 该器件适用于需要高效能功率转换的场合, 可用于电源转换系统、可再生能源逆变装置以及高频率开关电路中, 有助于提升系统整体效率并减小散热设计负担, 是现代高功率密度电子设备中的关键元件。
IDK08G65C5XTMA2-HXY特性
暂无产品特性。
IDK08G65C5XTMA2-HXY应用领域
暂无应用领域。
