库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
IDK08G65C5XTMA2-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

IDK08G65C5XTMA2-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.42V。 其基于碳化硅材料的特性, 展现出优异的开关性能和较高的工作温度能力。 该器件适用于需要高效能功率转换的场合, 可用于电源转换系统、可再生能源逆变装置以及高频率开关电路中, 有助于提升系统整体效率并减小散热设计负担, 是现代高功率密度电子设备中的关键元件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

9

货期

现货

IDK08G65C5XTMA2-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存9

IDK08G65C5XTMA2-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.42V。 其基于碳化硅材料的特性, 展现出优异的开关性能和较高的工作温度能力。 该器件适用于需要高效能功率转换的场合, 可用于电源转换系统、可再生能源逆变装置以及高频率开关电路中, 有助于提升系统整体效率并减小散热设计负担, 是现代高功率密度电子设备中的关键元件。

IDK08G65C5XTMA2-HXY特性

暂无产品特性。

IDK08G65C5XTMA2-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件