IDK06G65C5XTMA2-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
IDK06G65C5XTMA2-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于中高压电源系统。 其正向导通压降(VF)为1.36V, 在同类器件中表现优异, 有助于降低导通损耗, 提升能量转换效率。 得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性, 该二极管支持高频开关操作, 具备良好的热稳定性与长期可靠性, 常用于高效开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的功率因数校正及直流变换电路, 有助于减小磁性元件体积并提升系统功率密度。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
10
货期
现货
IDK06G65C5XTMA2-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IDK06G65C5XTMA2-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于中高压电源系统。 其正向导通压降(VF)为1.36V, 在同类器件中表现优异, 有助于降低导通损耗, 提升能量转换效率。 得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性, 该二极管支持高频开关操作, 具备良好的热稳定性与长期可靠性, 常用于高效开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的功率因数校正及直流变换电路, 有助于减小磁性元件体积并提升系统功率密度。
IDK06G65C5XTMA2-HXY特性
暂无产品特性。
IDK06G65C5XTMA2-HXY应用领域
暂无应用领域。
