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IDK06G65C5XTMA2-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

IDK06G65C5XTMA2-HXY

该碳化硅二极管为独立式配置, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于中高压电源系统。 其正向导通压降(VF)为1.36V, 在同类器件中表现优异, 有助于降低导通损耗, 提升能量转换效率。 得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性, 该二极管支持高频开关操作, 具备良好的热稳定性与长期可靠性, 常用于高效开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的功率因数校正及直流变换电路, 有助于减小磁性元件体积并提升系统功率密度。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

10

货期

现货

IDK06G65C5XTMA2-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存10

IDK06G65C5XTMA2-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式配置, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR), 适用于中高压电源系统。 其正向导通压降(VF)为1.36V, 在同类器件中表现优异, 有助于降低导通损耗, 提升能量转换效率。 得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性, 该二极管支持高频开关操作, 具备良好的热稳定性与长期可靠性, 常用于高效开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的功率因数校正及直流变换电路, 有助于减小磁性元件体积并提升系统功率密度。

IDK06G65C5XTMA2-HXY特性

暂无产品特性。

IDK06G65C5XTMA2-HXY应用领域

暂无应用领域。

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