IDH10SG60CXKSA2-HXY

该碳化硅二极管为独立式结构， 额定正向电流（IF）为10A， 最大反向重复峰值电压（VR）达650V。 其正向压降（VF）为1.5V， 在导通状态下的能量损耗较低； 反向漏电流（IR）仅为60μA， 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM）， 适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效率电能转换系统， 在高温或高频率工作条件下仍能维持稳定电气特性。