IDH10SG60CXKSA1-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
IDH10SG60CXKSA1-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置， 额定正向电流为10A， 最大反向重复电压为650V， 正向导通压降典型值为1.5V， 在25°C时反向漏电流仅为60μA。 器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流， 适用于高频、高效率的电源转换系统。 其材料特性有助于降低开关损耗并提升热稳定性， 适合对体积与能效有较高要求的应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
IDH10SG60CXKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
IDH10SG60CXKSA1-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置， 额定正向电流为10A， 最大反向重复电压为650V， 正向导通压降典型值为1.5V， 在25°C时反向漏电流仅为60μA。 器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流， 适用于高频、高效率的电源转换系统。 其材料特性有助于降低开关损耗并提升热稳定性， 适合对体积与能效有较高要求的应用场合。
IDH10SG60CXKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IDH10SG60CXKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。