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IDH10G65C5XKSA1-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

IDH10G65C5XKSA1-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)为60μA。 器件可承受90A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 凭借碳化硅材料特性, 具备快速开关响应与低反向恢复电荷优势, 适用于高频整流、开关电源及对效率和热性能要求较高的电力电子应用场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

IDH10G65C5XKSA1-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

IDH10G65C5XKSA1-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)为60μA。 器件可承受90A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 凭借碳化硅材料特性, 具备快速开关响应与低反向恢复电荷优势, 适用于高频整流、开关电源及对效率和热性能要求较高的电力电子应用场合。

IDH10G65C5XKSA1-HXY特性

暂无产品特性。

IDH10G65C5XKSA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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