IDH10G65C5XKSA1-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
IDH10G65C5XKSA1-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)为60μA。 器件可承受90A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 凭借碳化硅材料特性, 具备快速开关响应与低反向恢复电荷优势, 适用于高频整流、开关电源及对效率和热性能要求较高的电力电子应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
IDH10G65C5XKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
IDH10G65C5XKSA1-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)为60μA。 器件可承受90A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 凭借碳化硅材料特性, 具备快速开关响应与低反向恢复电荷优势, 适用于高频整流、开关电源及对效率和热性能要求较高的电力电子应用场合。
IDH10G65C5XKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IDH10G65C5XKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
