IDH08SG60CXKSA1-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
IDH08SG60CXKSA1-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其基于碳化硅材料特性, 具备低导通损耗与优异的高频开关性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。 器件结构设计支持稳定可靠的运行表现, 适合集成于高密度电力电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
25
货期
现货
IDH08SG60CXKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
IDH08SG60CXKSA1-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其基于碳化硅材料特性, 具备低导通损耗与优异的高频开关性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。 器件结构设计支持稳定可靠的运行表现, 适合集成于高密度电力电子系统中。
IDH08SG60CXKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IDH08SG60CXKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
