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IDH08G65C5XKSA1-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

IDH08G65C5XKSA1-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 具备较低的导通损耗。 器件可承受88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频、高效率的电源转换与整流应用。 得益于碳化硅材料特性, 其开关速度快、反向恢复电荷几乎为零, 有助于减小系统体积并提升整体能效。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

IDH08G65C5XKSA1-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

IDH08G65C5XKSA1-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 具备较低的导通损耗。 器件可承受88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频、高效率的电源转换与整流应用。 得益于碳化硅材料特性, 其开关速度快、反向恢复电荷几乎为零, 有助于减小系统体积并提升整体能效。

IDH08G65C5XKSA1-HXY特性

暂无产品特性。

IDH08G65C5XKSA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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