IDH08G65C5XKSA1-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
IDH08G65C5XKSA1-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 具备较低的导通损耗。 器件可承受88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频、高效率的电源转换与整流应用。 得益于碳化硅材料特性, 其开关速度快、反向恢复电荷几乎为零, 有助于减小系统体积并提升整体能效。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
IDH08G65C5XKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
IDH08G65C5XKSA1-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 具备较低的导通损耗。 器件可承受88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频、高效率的电源转换与整流应用。 得益于碳化硅材料特性, 其开关速度快、反向恢复电荷几乎为零, 有助于减小系统体积并提升整体能效。
IDH08G65C5XKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IDH08G65C5XKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
