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IDH06SG60CXKSA2-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

IDH06SG60CXKSA2-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.68V, 非重复浪涌正向电流(IFSM)达32A。 器件在高电压条件下保持稳定的开关性能, 适用于高频电源转换、开关模式电源及可再生能源系统中的整流与续流路径。 其碳化硅材料特性有助于降低开关损耗, 提升整体能效, 在紧凑型电力电子设计中展现出良好的热稳定性和可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

IDH06SG60CXKSA2-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存23

IDH06SG60CXKSA2-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.68V, 非重复浪涌正向电流(IFSM)达32A。 器件在高电压条件下保持稳定的开关性能, 适用于高频电源转换、开关模式电源及可再生能源系统中的整流与续流路径。 其碳化硅材料特性有助于降低开关损耗, 提升整体能效, 在紧凑型电力电子设计中展现出良好的热稳定性和可靠性。

IDH06SG60CXKSA2-HXY特性

暂无产品特性。

IDH06SG60CXKSA2-HXY应用领域

暂无应用领域。

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