IDH06SG60CXKSA2-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
IDH06SG60CXKSA2-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.68V, 非重复浪涌正向电流(IFSM)达32A。 器件在高电压条件下保持稳定的开关性能, 适用于高频电源转换、开关模式电源及可再生能源系统中的整流与续流路径。 其碳化硅材料特性有助于降低开关损耗, 提升整体能效, 在紧凑型电力电子设计中展现出良好的热稳定性和可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
IDH06SG60CXKSA2-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
IDH06SG60CXKSA2-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.68V, 非重复浪涌正向电流(IFSM)达32A。 器件在高电压条件下保持稳定的开关性能, 适用于高频电源转换、开关模式电源及可再生能源系统中的整流与续流路径。 其碳化硅材料特性有助于降低开关损耗, 提升整体能效, 在紧凑型电力电子设计中展现出良好的热稳定性和可靠性。
IDH06SG60CXKSA2-HXY特性
暂无产品特性。
IDH06SG60CXKSA2-HXY应用领域
暂无应用领域。
