IDH06SG60CXKSA1-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
IDH06SG60CXKSA1-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降为1.68V, 在导通状态下保持较低功耗。 器件可承受高达32A的非重复峰值正向浪涌电流, 展现出良好的瞬态耐受能力。 凭借碳化硅材料的特性, 其在高频工作条件下仍能维持稳定的电气性能, 适用于高效率电源转换、开关模式电源及对体积与热管理有较高要求的电力电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
IDH06SG60CXKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
IDH06SG60CXKSA1-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降为1.68V, 在导通状态下保持较低功耗。 器件可承受高达32A的非重复峰值正向浪涌电流, 展现出良好的瞬态耐受能力。 凭借碳化硅材料的特性, 其在高频工作条件下仍能维持稳定的电气性能, 适用于高效率电源转换、开关模式电源及对体积与热管理有较高要求的电力电子系统中。
IDH06SG60CXKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IDH06SG60CXKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
