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IDH06SG60CXKSA1-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

IDH06SG60CXKSA1-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降为1.68V, 在导通状态下保持较低功耗。 器件可承受高达32A的非重复峰值正向浪涌电流, 展现出良好的瞬态耐受能力。 凭借碳化硅材料的特性, 其在高频工作条件下仍能维持稳定的电气性能, 适用于高效率电源转换、开关模式电源及对体积与热管理有较高要求的电力电子系统中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

IDH06SG60CXKSA1-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

IDH06SG60CXKSA1-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 最大反向重复电压为650V, 典型正向压降为1.68V, 在导通状态下保持较低功耗。 器件可承受高达32A的非重复峰值正向浪涌电流, 展现出良好的瞬态耐受能力。 凭借碳化硅材料的特性, 其在高频工作条件下仍能维持稳定的电气性能, 适用于高效率电源转换、开关模式电源及对体积与热管理有较高要求的电力电子系统中。

IDH06SG60CXKSA1-HXY特性

暂无产品特性。

IDH06SG60CXKSA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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