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IDH06G65C5XKSA2-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

IDH06G65C5XKSA2-HXY

该碳化硅二极管为独立式器件, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 适用于中高功率电力电子系统。 其正向导通压降(VF)为1.36V, 相较于传统硅器件具有更低的导通损耗, 有助于提升能效。 基于碳化硅材料的特性, 该二极管具备优异的高温稳定性和快速开关能力, 可有效支持高频工作条件。 典型应用涵盖高效开关电源、光伏逆变单元、不间断电源模块以及高密度功率因数校正电路, 适用于对系统效率与功率密度有较高要求的电力转换场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

15

货期

现货

IDH06G65C5XKSA2-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存15

IDH06G65C5XKSA2-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式器件, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 适用于中高功率电力电子系统。 其正向导通压降(VF)为1.36V, 相较于传统硅器件具有更低的导通损耗, 有助于提升能效。 基于碳化硅材料的特性, 该二极管具备优异的高温稳定性和快速开关能力, 可有效支持高频工作条件。 典型应用涵盖高效开关电源、光伏逆变单元、不间断电源模块以及高密度功率因数校正电路, 适用于对系统效率与功率密度有较高要求的电力转换场合。

IDH06G65C5XKSA2-HXY特性

暂无产品特性。

IDH06G65C5XKSA2-HXY应用领域

暂无应用领域。

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