IDH06G65C5XKSA2-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
IDH06G65C5XKSA2-HXY
该碳化硅二极管为独立式器件, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 适用于中高功率电力电子系统。 其正向导通压降(VF)为1.36V, 相较于传统硅器件具有更低的导通损耗, 有助于提升能效。 基于碳化硅材料的特性, 该二极管具备优异的高温稳定性和快速开关能力, 可有效支持高频工作条件。 典型应用涵盖高效开关电源、光伏逆变单元、不间断电源模块以及高密度功率因数校正电路, 适用于对系统效率与功率密度有较高要求的电力转换场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
15
货期
现货
IDH06G65C5XKSA2-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 15 |
IDH06G65C5XKSA2-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式器件, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 适用于中高功率电力电子系统。 其正向导通压降(VF)为1.36V, 相较于传统硅器件具有更低的导通损耗, 有助于提升能效。 基于碳化硅材料的特性, 该二极管具备优异的高温稳定性和快速开关能力, 可有效支持高频工作条件。 典型应用涵盖高效开关电源、光伏逆变单元、不间断电源模块以及高密度功率因数校正电路, 适用于对系统效率与功率密度有较高要求的电力转换场合。
IDH06G65C5XKSA2-HXY特性
暂无产品特性。
IDH06G65C5XKSA2-HXY应用领域
暂无应用领域。
