IDH04SG60CXKSA2-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
IDH04SG60CXKSA2-HXY
该碳化硅二极管为独立式结构, 具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降典型值为1.53V, 可承受高达32A的非重复浪涌正向电流。 其基于碳化硅材料的物理特性, 在高频工作条件下表现出优异的开关性能与热稳定性, 适用于高效率电源转换系统中的整流环节, 如服务器电源、通信电源及各类紧凑型开关电源拓扑, 有助于降低导通与开关损耗, 提升整体能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
IDH04SG60CXKSA2-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
IDH04SG60CXKSA2-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式结构, 具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降典型值为1.53V, 可承受高达32A的非重复浪涌正向电流。 其基于碳化硅材料的物理特性, 在高频工作条件下表现出优异的开关性能与热稳定性, 适用于高效率电源转换系统中的整流环节, 如服务器电源、通信电源及各类紧凑型开关电源拓扑, 有助于降低导通与开关损耗, 提升整体能效表现。
IDH04SG60CXKSA2-HXY特性
暂无产品特性。
IDH04SG60CXKSA2-HXY应用领域
暂无应用领域。
