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IDH04SG60CXKSA2-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

IDH04SG60CXKSA2-HXY

该碳化硅二极管为独立式结构, 具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降典型值为1.53V, 可承受高达32A的非重复浪涌正向电流。 其基于碳化硅材料的物理特性, 在高频工作条件下表现出优异的开关性能与热稳定性, 适用于高效率电源转换系统中的整流环节, 如服务器电源、通信电源及各类紧凑型开关电源拓扑, 有助于降低导通与开关损耗, 提升整体能效表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

IDH04SG60CXKSA2-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存23

IDH04SG60CXKSA2-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式结构, 具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降典型值为1.53V, 可承受高达32A的非重复浪涌正向电流。 其基于碳化硅材料的物理特性, 在高频工作条件下表现出优异的开关性能与热稳定性, 适用于高效率电源转换系统中的整流环节, 如服务器电源、通信电源及各类紧凑型开关电源拓扑, 有助于降低导通与开关损耗, 提升整体能效表现。

IDH04SG60CXKSA2-HXY特性

暂无产品特性。

IDH04SG60CXKSA2-HXY应用领域

暂无应用领域。

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