IDH04SG60CXKSA1-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
IDH04SG60CXKSA1-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为4A, 最大反向重复电压VR为650V, 正向压降VF典型值为1.53V, 具备低导通损耗特性。 器件可承受32A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效能电能转换系统。 其碳化硅材料特性带来优异的高温稳定性和快速开关响应, 有助于提升整体电路效率与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
IDH04SG60CXKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
IDH04SG60CXKSA1-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为4A, 最大反向重复电压VR为650V, 正向压降VF典型值为1.53V, 具备低导通损耗特性。 器件可承受32A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效能电能转换系统。 其碳化硅材料特性带来优异的高温稳定性和快速开关响应, 有助于提升整体电路效率与可靠性。
IDH04SG60CXKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IDH04SG60CXKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
