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IDH04SG60CXKSA1-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

IDH04SG60CXKSA1-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为4A, 最大反向重复电压VR为650V, 正向压降VF典型值为1.53V, 具备低导通损耗特性。 器件可承受32A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效能电能转换系统。 其碳化硅材料特性带来优异的高温稳定性和快速开关响应, 有助于提升整体电路效率与可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

IDH04SG60CXKSA1-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

IDH04SG60CXKSA1-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为4A, 最大反向重复电压VR为650V, 正向压降VF典型值为1.53V, 具备低导通损耗特性。 器件可承受32A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效能电能转换系统。 其碳化硅材料特性带来优异的高温稳定性和快速开关响应, 有助于提升整体电路效率与可靠性。

IDH04SG60CXKSA1-HXY特性

暂无产品特性。

IDH04SG60CXKSA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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