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IDH04S60CAKSA1-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

IDH04S60CAKSA1-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.53V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下仍能保持稳定性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。 其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

15

货期

现货

IDH04S60CAKSA1-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存15

IDH04S60CAKSA1-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.53V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下仍能保持稳定性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。 其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。

IDH04S60CAKSA1-HXY特性

暂无产品特性。

IDH04S60CAKSA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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