IDH04S60CAKSA1-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
IDH04S60CAKSA1-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.53V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下仍能保持稳定性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。 其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
15
货期
现货
IDH04S60CAKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 15 |
IDH04S60CAKSA1-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.53V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下仍能保持稳定性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。 其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。
IDH04S60CAKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IDH04S60CAKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
