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IDH04G65C5XKSA1-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

IDH04G65C5XKSA1-HXY

该碳化硅二极管为独立式配置, 具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降典型值为1.53V, 非重复浪涌正向电流可达32A。 得益于碳化硅材料的特性, 器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关模式电源以及对体积和能效有较高要求的电力电子系统中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

20

货期

现货

IDH04G65C5XKSA1-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存20

IDH04G65C5XKSA1-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式配置, 具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降典型值为1.53V, 非重复浪涌正向电流可达32A。 得益于碳化硅材料的特性, 器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关模式电源以及对体积和能效有较高要求的电力电子系统中。

IDH04G65C5XKSA1-HXY特性

暂无产品特性。

IDH04G65C5XKSA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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