IDH04G65C5XKSA1-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
IDH04G65C5XKSA1-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降典型值为1.53V, 非重复浪涌正向电流可达32A。 得益于碳化硅材料的特性, 器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关模式电源以及对体积和能效有较高要求的电力电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
20
货期
现货
IDH04G65C5XKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 20 |
IDH04G65C5XKSA1-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向导通压降典型值为1.53V, 非重复浪涌正向电流可达32A。 得益于碳化硅材料的特性, 器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关模式电源以及对体积和能效有较高要求的电力电子系统中。
IDH04G65C5XKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IDH04G65C5XKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
