IDH02G65C5XKSA2-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
IDH02G65C5XKSA2-HXY
该碳化硅二极管为独立式结构, 具备2A的正向电流能力, 反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.53V。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作条件下仍能保持较低的导通损耗和快速的反向恢复响应。 适用于高效率电源、开关模式转换器及对热管理要求较高的电子系统中, 有助于提升整体电路的能效与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
10
货期
现货
IDH02G65C5XKSA2-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IDH02G65C5XKSA2-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式结构, 具备2A的正向电流能力, 反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.53V。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作条件下仍能保持较低的导通损耗和快速的反向恢复响应。 适用于高效率电源、开关模式转换器及对热管理要求较高的电子系统中, 有助于提升整体电路的能效与可靠性。
IDH02G65C5XKSA2-HXY特性
暂无产品特性。
IDH02G65C5XKSA2-HXY应用领域
暂无应用领域。
