IDH02G65C5XKSA1-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
IDH02G65C5XKSA1-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为2A, 最大反向重复电压VR为650V。 其正向压降VF典型值为1.53V, 在导通状态下具备较低的导通损耗。 得益于碳化硅材料特性, 器件在高频开关应用中表现出优异的动态性能和热稳定性, 适用于对效率和响应速度有较高要求的电源整流、功率因数校正及高频变换器等电路拓扑中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
14
货期
现货
IDH02G65C5XKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 14 |
IDH02G65C5XKSA1-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为2A, 最大反向重复电压VR为650V。 其正向压降VF典型值为1.53V, 在导通状态下具备较低的导通损耗。 得益于碳化硅材料特性, 器件在高频开关应用中表现出优异的动态性能和热稳定性, 适用于对效率和响应速度有较高要求的电源整流、功率因数校正及高频变换器等电路拓扑中。
IDH02G65C5XKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IDH02G65C5XKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
