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IDH02G65C5XKSA1-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

IDH02G65C5XKSA1-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为2A, 最大反向重复电压VR为650V。 其正向压降VF典型值为1.53V, 在导通状态下具备较低的导通损耗。 得益于碳化硅材料特性, 器件在高频开关应用中表现出优异的动态性能和热稳定性, 适用于对效率和响应速度有较高要求的电源整流、功率因数校正及高频变换器等电路拓扑中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

14

货期

现货

IDH02G65C5XKSA1-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存14

IDH02G65C5XKSA1-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为2A, 最大反向重复电压VR为650V。 其正向压降VF典型值为1.53V, 在导通状态下具备较低的导通损耗。 得益于碳化硅材料特性, 器件在高频开关应用中表现出优异的动态性能和热稳定性, 适用于对效率和响应速度有较高要求的电源整流、功率因数校正及高频变换器等电路拓扑中。

IDH02G65C5XKSA1-HXY特性

暂无产品特性。

IDH02G65C5XKSA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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