IDH02G120C5-HXY
IC
TO-220-2L
可供量大可议
IDH02G120C5-HXY
此款碳化硅二极管具备5A的正向电流(IF), 能够承受高达1200V的反向电压(VR), 使其在高电压应用中表现出色。 其正向电压(VF)为1.4V, 保证了较低的能量损耗, 而反向漏电流(IR)仅为100uA, 减少了不必要的能耗。 瞬间正向浪涌电流(IFSM)可达45A, 提升了产品在突发状况下的可靠性与稳定性。 该二极管适用于需要高效能和紧凑设计的场合, 如电源管理和可再生能源系统等领域。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220-2L
库存
235
货期
现货
IDH02G120C5-HXY参数
| 封装 | TO-220-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 235 |
IDH02G120C5-HXY概述
此款碳化硅二极管具备5A的正向电流(IF), 能够承受高达1200V的反向电压(VR), 使其在高电压应用中表现出色。 其正向电压(VF)为1.4V, 保证了较低的能量损耗, 而反向漏电流(IR)仅为100uA, 减少了不必要的能耗。 瞬间正向浪涌电流(IFSM)可达45A, 提升了产品在突发状况下的可靠性与稳定性。 该二极管适用于需要高效能和紧凑设计的场合, 如电源管理和可再生能源系统等领域。
IDH02G120C5-HXY特性
暂无产品特性。
IDH02G120C5-HXY应用领域
暂无应用领域。
